参数及性能
1、单芯片两相正弦细分步进电机驱动
2、直接采用单脉冲和方向信号译码控制模式
3、双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron=0.53Ω
4、可实现正反转控制
5、通过3位选择8档细分控制(1,1/2,1/4,1/8, 1/16, 1/32, 1/64,1/128 )
6、耐压40VDC
7、高输出电流（Iout=3.3 A）
8、HZIP19封装
9、有复位和使能管脚
10、芯片内部有过热保护（TSD）和过流检测电路

关于STK682-010与THB7128r的替换，替换方法如下：

这两芯片其实是同一个晶元核心，区别在芯片的6脚。THB7128的6脚是直接接地，STK682-010的6脚是设置( FDT ) 。

　THB7128的衰减是在内部固定成混合衰减的，而芯片的6脚则作为接地端。

　STK682-010的衰减是可以设置的，通过芯片6脚的电压来选择：快衰减、混合衰减、慢衰减这三种衰减模式。

　衰减模式：小于0.8Ｖ时是快衰减；在1.1Ｖ～3.1Ｖ时是混合衰减；在3.5Ｖ～5Ｖ时是慢衰减。

　如果在THB7128板用STK682-010替换，则是快衰减模式。好处是高速性能会更好，电磁噪音和发热相对会稍大。

　关于衰减：

　　　　　　慢衰减适合低速、低细分应用。噪音和发热相对其它两种模式会低一些。

　　　　　　快衰减则在高速或者高细分应用比较好，对于恒流控制会更准确；噪音和发热相对其它两种模式会稍大。

　　　　　　混合衰减则介于两者之间。

　　低细分指4细分以下，高细分则在4细分以上。至于发热和噪音方面得看实际测试，不同的电机会有不同的效果。有些应用，

很可能快衰减的噪音会比混合衰减的要低。或者说在共震点时的效果会好一些